Samsung startet Produktion schnellerer DRAMs

Samsung hat mit der Massenfertigung von 4GB-DRAM-Chips mit der neuartigen HBM2-Schnittstelle begonnen. HBM steht für "High Bandwidh Memory". Die Chips beziehungsweise "Packages" sind laut Samsung mit einer möglichen Datenübertragungsrate von 256 Gigabyte pro Sekunde siebenmal so schnell wie die modernsten DDR5-DRAM-Chips.
 
Auf den neuen Bausteinen basierende Produkte sollen im Laufe dieses Jahres auf den Markt kommen. Einsatzmöglichkeiten sieht Samsung vorerst vor allem im High-Performance-Computing-Bereich, in Servern der Enterprise-Klasse sowie als RAM-Speicher für schnelle Grafikkarten und Netzwerkgeräte. (hjm)