

Die Terabyte-Briefmarke
25. Juli 2014 um 12:47Forscher der Rice-Universität entwickeln eine Technologie, um die Datendichte auf Chips drastisch zu erhöhen.
Forscher der Rice-Universität entwickeln eine Technologie, um die Datendichte auf Chips drastisch zu erhöhen.
Ein neuer Arbeitsspeicher (RAM): Dichter, braucht weniger Spannung, speichert auch ohne Strom und ist einfach zu produzieren. Der Forschungsgegenstand der Rice-Universität scheint eine eierlegende Wollmilchsau zu sein. Grundlage der neuen Technologie seien Siliziumoxide, eine der häufigsten und meist untersuchten Verbindungen auf der Erde, berichtet die Universität.
Die Gruppe begann vor etwas mehr als fünf Jahren, eine neue resistive RAM-Technologie auf die Beine zu stellen, erklärt James Tour, Chemiker und Leiter der Forschungsgruppe. Ausgangspunkt ist ein dielektrisches Material (beispielsweise Siliziumoxide), das normalerweise keinen Strom leitet. Um das Siliziumoxid befinden sich zwei Stromleiter (Foto). Setzt man nun genügend Spannung an, bildet sich ein leitender Übertragungskanal im dielektrischen Material. Die Kanäle könne man tausende Male Bilden oder Entfernen, was den Lebenszyklus der Chips verlängere, so der Chemiker.
Ob der Strom fliesst oder nicht, bestimmt, ob das System ein 0- oder 1-Bit ausgibt. Das Konzept ähnelt den Memristoren von HPs "The Machine" stark. Beide können rechnen sowie Informationen mit oder ohne Strom speichern. Beide sind schneller und dichter gepackt wie herkömmlicher Speicher. Bereits RRAM-Prototypen sollen ein Terabyte Speicher auf eine Fläche einer Briefmarke bringen können, berichtet die Universität. Die Grösse der Briefmarken wird allerdings nicht näher beschrieben.
Poröses Silizium hilft
James Tour erklärt, verwende man anstatt sattes Siliziumoxid poröses, verbessere sich der Chip auf zwei Arten: Die Poren erlauben es trotz schwacher Spannung (weniger als zwei Volt) zuverlässige Resultate zu erzielen. Ausserdem könne dank des Materials beim Bau der Chips auf Kanten verzichtet werden.
Beide Eigenschaften sind vielversprechend. Gerade die "Kanten-Struktur" sei in der Industrie ein kritisches Thema, das man nun ganz weglassen könne, so Tour. Wie auch bei HPs Memristoren handelt es sich aber vorerst um ein Forschungsprojekt. Zwar sind die Ergebnisse vielversprechend, so die Forscher, dennoch sollte man die Terabyte-Briefmarke nicht übermorgen erwarten. (csi)
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