Intel und Micron ist nach eigenen Angaben ein technologischer Sprung gelungen. Und zwar hat man neuartige 3D-NAND-Flash-Speicher entwickelt, die bis zum dreifachen der bisherigen Datenmenge speichern können. "Die neue 3D-NAND-Technologie stapelt Schichten aus Datenspeicherzellen vertikal mit ausserordentlicher Präzision, so dass künftige SSDs und andere Datenspeicher eine dreimal höhere Kapazität aufweisen als bei konkurrierenden NAND-Technologien," erklärt der US-Technologiekonzern.

Die neue 3D-NAND-Technologie habe das Potential, den Markt fundamental zu verändern, glaubt man bei Intel. Die Entwicklung der nicht-flüchtigen Flash-Speichertechnologie hat bereits in den letzten Jahren unser Leben und die IT-Industrie massiv verändert. Smartphones, Digicams aber auch die riesigen Datenmengen, die man online ablegen und teilen kann, sind ohne Flash nicht vorstellbar. Ohne die Flash-Technologie wäre beispielsweise die heute weltweit übliche "Selfie"-Kultur nicht vorstellbar.

Die neue Technologie erhöht nicht nur die Speicherkapazität von Flash-Bausteinen. Sie soll zudem die Kosten pro gespeichertem GByte senken, hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten ermöglichen und erst noch den Stromverbrauch senken.

Der riesige Markt der Flashspeicher wird von wenigen Herstellern beherrscht. Samsung und Toshiba sind die grössten Player. Der Trend zu rein auf Flash-Speicher aufbauenden Storage-Arrays wird den Markt noch anheizen. (hc)