Fujitsu lizenziert neue (superschnelle) Speichertechnologie von Nantero

2. September 2016, 15:28
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Fujitsu ist der erste Lizenznehmer der NRAM genannten Speichertechnologie von Nantero.

Fujitsu ist der erste Lizenznehmer der NRAM genannten Speichertechnologie von Nantero. Dabei handelt es sich um nichtflüchtigen Speicher, hergestellt aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT). Basierend auf dieser Technologie wollen die beiden Unternehmen ein Produkt auf den Markt bringen, das eine Schreibgeschwindigkeit erreicht, die "mehrere 1000 Mal schneller" sei, als herkömmlicher Dynamic-RAM (DRAM) und gleichzeitig aber, die Daten wie Flash-Speicher permanent aufbewahren kann. Fujitsu Semiconductor will die NRAM-Zellen in die eigenen Chips integrieren und 2018 auf den Markt bringen.
Nantero hat die Technologe vergangenes Jahr erstmals vorgestellt. Die Röhrchen aus Kohlenstoff sind sehr stabil. Sie halten Hitze und Kälte, magnetischen Kräften, Vibrationen oder auch Strahlung stand. Durch ihre einzigartige elektronischen und strukturellen Eigenschaften ermöglichen sie einen sehr dichten und energieeffizienten Speicher, wie es auf der Website von Nantero heisst. Der Stromverbrauch pro Bit sei 160 Mal kleiner als bei Flash-Speicher.
Ein NRAM-Chip besteht aus einer dünnen Schicht von CNTs, das auf ein Siliziumsubstrat aufgetragen wird. Ändert sich die Spannung, verändert sich die Ausrichtung der CNTs zueinander und somit der Widerstand. Da die Ausrichtung auch ohne Stromzufuhr erhalten bleibt, ist der Speicher nichtflüchtig (non-volatile). (kjo)

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