Neuer Sprung bei Flash-Speicherkapazität

2. Februar 2010, 13:36
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Intel und Micron haben gemeinsam die ersten NAND-Flash-Speicherbausteine vorgestellt, die in einem 25-Nanometer-Prozess hergestellt wurden.

Intel und Micron haben gemeinsam die ersten NAND-Flash-Speicherbausteine vorgestellt, die in einem 25-Nanometer-Prozess hergestellt wurden. Aktuelle Flash-Bausteine werden noch in einem 34-Nanometerprozess gefertigt.
Die noch feineren Strukturen erlauben eine Verdoppelung der Kapazität pro einzelnem Speicherbaustein auf 8 GB. Gerätehersteller können die neuen Bausteine verwenden, um die Flash-Speicherkapazität bestehender Geräte wie Smartphones, MP3-Playern, SSD-Disks, USB-Sticks oder Speicherkarten, zu erhöhen, oder um noch kleinere Geräte zu entwickeln. Die Massenproduktion der Chips soll im zweiten Quartal dieses Jahres beginnen.
Intel hat einen schönen Vergleich auf Lager, um die Speicherdichte der neuen Flashbausteine zu illustrieren: Einer der Chips passt durch das Loch in der Mitte einer traditionellen CD, bietet aber mehr als zehnmal soviel Speicherkapazität. (hjm)

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