ReRAM: Die Speicherrevolution entwickelt sich zum Wettlauf

13. Oktober 2010, 02:18
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Die Vorzeichen deuten darauf hin, dass das Jahr 2013 zu einem entscheidenden Jahr im Speichergeschäft werden könnte.

Die Vorzeichen deuten darauf hin, dass das Jahr 2013 zu einem Jahr des Umbruchs im Speichergeschäft werden könnte.
Nach dem Gespann HP und Hynix (Memory Resistors oder Speicherwiderständen), einem ganz neuen elektronischen Grundbauteil, beruhenden neuen ReRAM-Speicher sollen künftig Flash, RAM und Festplatten ersetzen und könnten einen sehr grossen Leistungssprung bringen.
Wie von 'Nikkei Business Daily' berichtet, sollen die von Sharp und Elpida entwickelten ReRAM-Chips beim Schreiben 10'000 mal schneller sein als NAND-Flash, womit ein kompletter HD-Film schon in wenigen Sekunden gespeichert werden könnte. Der Stromverbrauch im Standby-Modus soll gegen Null gehen.
Elpida, Nummer drei der DRAM-Hersteller, und Sharp, der drittgrösste Solarzellenproduzent der Welt, stehen bei der Entwicklung der neuen Speicherchips nicht allein. Japans National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, die Universität von Tokio und andere Forschungsstätten wollen sich anschliessen.
Auch weitere Konkurrenten sind nicht untätig. Toshiba arbeitet ebenfalls an einem neuen Typ von Flash-Speicher mit Strukturen in Schichten. Samsung Electronics setzt währenddessen bei der Entwicklung zukunftsträchtiger Speicherchips noch auf mehrere Technologien. Dazu gehören neben ReRAM auch PRAM ("Phase-change Random Access Memory") und MRAM ("magnetoresistive Random Access Memory"). (Klaus Hauptfleisch)

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