Schreib/Lese-Geschwindigkeit von Flash-Bausteinen verfünffacht.

4. Februar 2008 um 13:41
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Intel und Micron haben am Freitag-Abend verkündet, sie hätten Flash-Speicherbausteine entwickelt, die mit 200 Megabytes pro Sekunde (MB/s) gelesen und mit 100 MB/s beschrieben werden können.

Intel und Micron haben am Freitag-Abend verkündet, sie hätten Flash-Speicherbausteine entwickelt, die mit 200 Megabytes pro Sekunde (MB/s) gelesen und mit 100 MB/s beschrieben werden können. Die Schreib/Lesegeschwindigkeit dieser Bausteine ist damit etwa fünfmal höher als bei bei bisherigen NAND Flash-Bausteinen, wie man sie in Kameras, Videogeräten oder - in Zukunft - als Harddisk-Ersatz in Notebooks und Servern benützt.
Intel nennt einige Beispiele von Geräten, in denen die neuen Bausteine eingesetzt werden können. So in so genannten Hybrid-Laufwerken, einer Kombination von Harddisks und schnellem Flash-Speicher, in Digitalkameras für Fotografie und Video oder auch für schnelle, externe Speicher, die nach dem künftigen Standard USB 3.0 arbeiten. Mit USB 3.0 sollen sich bis zu 4,8 GB pro Sekunde übertragen lassen. Ausserdem hofft man natürlich, mit den schnellen Speicherchips auch noch schnellere "Solid-State-Disks" für Spezialanwendungen absetzen zu können. Micron will bereits dieses Jahr eine solche mit einer Kapazität von acht GB auf den Markt bringen. (hc)

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