Weiterer Entwicklungsschritt bei Flash-Memory

16. April 2013, 08:57
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Samsung hat erst vor fünf Monaten, im November 2012, mit der Produktion von Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Memory-Chips mit 64 Gigabit Kapazität begonnen.

Samsung hat erst vor fünf Monaten, im November 2012, mit der Produktion von Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Memory-Chips mit 64 Gigabit Kapazität begonnen. Nun haben die Koreaner bereits die Massenfertigung von Chips mit der doppelten Kapazität, also 128 Gigabit, gestartet, wie das Unternehmen mitteilt.
Wie ihre Vorgänger sind die neuen Chips für Flash-Speichermedien in 10-Nanometer-Technologie gefertigt. Schon bald dürften darauf basierende Flashspeicher mit noch höherer Kapazität als bisher auf den Markt kommen. Zunächst will Samsung selbst mit diesen Bausteinen aber nicht noch grössere Flash-Speicher bauen, sondern vor allem die Produktion von bestehenden Speichermodellen mit hoher Kapazität hochfahren, beispielsweise 128GB-Speicherkarten oder 500GB-Solid State Disks. (hjm)

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