Intels neuer Wundertransistor

8. Dezember 2005, 15:04
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Neue Materialien sollen in ein paar Jahren Transistoren schneller und stromsparender machen.

Neue Materialien sollen in ein paar Jahren Transistoren schneller und stromsparender machen.
Beim Unterfangen, CPUs immer schneller und leistungsfähiger zu machen, haben die Chipentwickler gegenwärtig einige Probleme, wie man an der stagnierenden Entwicklung der Taktraten und dem Ausweichen der Hersteller auf Mehrkern-CPUs erkennen kann. Diese können zwar in den nächsten Jahren nochmal einen grösseren Leistungssprung bringen. Immer mehr Prozessorkerne in einen Chip zu packen, ist aber auch keine Dauerlösung.
Viele Hersteller, zum Beispiel HP, erforschen darum ganz neue, exotische Technologien, um die traditionelle Silizium-/Transistor-Technologie irgendwann in Zukunft zu ersetzen.
Intel allerdings glaubt weiterhin an die Zukunft der siliziumbasierten Chips und von Transistoren als deren Grundeinheiten. Zusammen mit der Firma QinetiQ hat der Chipriese nun eine neue Transistorentechnologie vorgestellt, welche nach der Meinung der Urheber das Potential haben soll, die Leistungsfähigkeit siliziumbasierten CPUs auch nach dem Jahr 2015 nach dem "Moore'schen Gesetz" steigen zu lassen.
Der Trick dabei ist die Verwendung eines Materials namens Indiumantimonid (InSb), einer Legierung der beiden Elemente Indium und Antimon. Eine der grössten Schwierigkeiten bei der Steigerung der CPU-Taktraten ist die Wärmeentwicklung (IBM arbeitet darum zum Beuspiel an einer internen Wasserkühlung für CPUs). Das neue Material soll nun einerseits die Schaltgeschwindigkeit von Transistoren erhöhen, vor allem aber ihren Energieverbrauch – und damit die Wärmeentwicklung – drastisch senken. "Durch das neue Material bekommen wir 50 Prozent mehr Leistung und gleichzeitig können wir den Energieverbrauch um ungefähr das 10-fache senken", erklärte dazu Ken David, Director Components Research bei Intels Technology and Manufacturing Group.
Der geringe Energieverbrauch erlaubt neben der Leistungssteigerung auch eine höhere Flexibilität bei der Entwicklung von Prozessoren für Kleingeräte, zum Beispiel Smartphones.
Gegenwärtig können Intel und QinetiQ den Prototypen eines "85nm Gate Length Enhancement and Depletion mode InSb Quantum Well"-Transistors vorweisen. (Enhancement-Mode-Transistoren sind die am weitest verbreiteten Transistoren bei Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen.) Gemäss Intel könnten die neuen Transistoren ab dem Anfang des nächsten Jahrzehnts die Basis von Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen werden. (Hans Jörg Maron)

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